SK 海力士启动美国首座工厂建设

SK 海力士 CEO 郭鲁正（Kwak Noh-Jung）在 8 月 27 日的破土仪式上称，AI 带动的内存半导体短缺将持续到 2030 年底，且当前没有明显迹象表明市场即将进入下行周期。这一判断创建在 HBM 全球紧缺的背景下，公司正把产能扩张的重心同时放在韩国本土与海外。

当日，SK 海力士位于印第安纳 West Lafayette 的美国首座工厂正式动工。这是一座先进封装厂，投资 $4 billion，首个洁净室计划 2028 年 10 月开业。

郭鲁正称，到 2030 年公司在美国的总投资与资产预计超过 $45 billion。他还解释，HBM 正从标准化商品演化成定制化商品，客户需从早期阶段与厂商合作，这使公司能更快预判需求，即便下行周期到来，需求也不会像过去那样大幅暴跌。

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