英特尔 18A-P 低电压频率跃升 30%

英特尔在 Hot Chips 2026 上公布了 18A-P 制程的更多细节。基于**量产芯片**的直接测试，18A-P 在 0.5V 工作电压下实现 **30% 的频率提升**，这一结果来自 GAA 晶体管结合背面供电的 CPU 内核与 FinFET 同类内核的对比。

该制程将率先用于 **Diamond Rapids 至强**和 **Nova Lake 酷睿**处理器，计划 2027 年推出；其中 Diamond Rapids 最多配备 256 个内核，I/O 区域移至封装中央以均衡内存访问，面向 AI 规模计算负载。相比 18A，18A-P 在相同功耗下性能提升超过 9%、相同性能下功耗降低超过 18%。

💡 为什么值得看GAA 加背面供电的量产芯片首次给出明确频率收益，决定 Diamond Rapids 与 Nova Lake 的单核性能上限。