三星电机与高通合作开发有机桥 2.1D 封装

韩媒 THE ELEC 9 月 14 日报道，三星电机(SEM)正与高通合作开发面向 AI 半导体的 **2.1D 先进封装**,双方在这套异构集成平台上已经做了**超过一年的研发与认证**。方案的核心是嵌入式有机桥片：思路接近英特尔的 EMIB,但用更平价的有机材料替掉硅桥片，既能压制造成本，也能绕开英特尔持有的 EMIB 专利。

按报道，这种有机桥可视为用 RDL（重布线层）工艺做出 5~7 层微电路的小型衬底，目标是 1.5~2μm 线宽 / 间距、4~5μm 通孔、500~1000/mm 图案密度。相比传统 FC-BGA 的堆叠式电路，它能做更精细的布线，换来更高的 I/O 带宽。目前仍是韩媒单方消息，三星电机与高通都未公开确认。

💡 为什么值得看AI 芯片封装开始绕开英特尔 EMIB 的硅桥与专利，成本与供应链格局都要重算。